semicon china 2025 文章最新資訊

資騰亮相SEMICON China展示CMP超潔凈刷輪，助力先進(jìn)制程良率提升

資騰科技將亮相SEMICON China國際半導(dǎo)體展，展示CMP（Chemical Mechanical Polishing，化學(xué)機(jī)械研磨）超潔凈空氣PVA刷輪。針對(duì)埃米時(shí)代對(duì)晶圓潔凈度與先進(jìn)制程穩(wěn)定性的更高要求，該刷輪可有效降低微粒與制程殘留，縮短預(yù)清潔時(shí)間，并減少晶圓空片用量，同時(shí)實(shí)現(xiàn)100%去離子水透水率，全面強(qiáng)化先進(jìn)制程與先進(jìn)封裝良率。資騰于2026年3月25日至27日參加SEMICON China國際半導(dǎo)體展，并在上海新國際博覽中心N3館 3187號(hào)展臺(tái)展示多項(xiàng)先進(jìn)制程解決方
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賦能AI，智造未來：愛發(fā)科電子半導(dǎo)體技術(shù)研討會(huì)暨SEMICON China 2026出展圓滿舉行

在半導(dǎo)體行業(yè)盛會(huì)SEMICON China 2026盛大舉辦之際，全球知名的真空技術(shù)綜合解決方案提供商—愛發(fā)科集團(tuán)，以“解鎖無限可能——真空技術(shù)驅(qū)動(dòng)的創(chuàng)新未來”為主題重磅出展，并受邀出席同期中國顯示大會(huì)論壇。在論壇上，愛發(fā)科中國市場(chǎng)總監(jiān)王禹發(fā)表演講，分享了針對(duì)AI+AR市場(chǎng)爆發(fā)式增長，愛發(fā)科在新型顯示領(lǐng)域打造的全鏈路解決方案。賦能AI，智造未來：ULVAC電子半導(dǎo)體技術(shù)研討會(huì)3月26日，愛發(fā)科中國在上海成功舉辦【賦能AI，智造未來：ULVAC電子半導(dǎo)體技術(shù)研討會(huì)】。本次研討會(huì)匯聚了來自MEMS、光通信、光
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奧芯明推出最新款引線鍵合機(jī)AERO PRO 推動(dòng)先進(jìn)封裝互聯(lián)能力升級(jí)

2026年3月25日，中國上?！?月25日至27日，中國半導(dǎo)體行業(yè)年度盛會(huì)SEMICON China 2026上，半導(dǎo)體與電子制造軟硬件領(lǐng)軍企業(yè)ASMPT與其子品牌奧芯明隆重推出最新款引線鍵合機(jī)AERO PRO。該設(shè)備專為高密度應(yīng)用打造，兼具高速與高精度特性，可對(duì)直徑小至0.5 密耳的超細(xì)引線實(shí)現(xiàn)卓越的鍵合精度與靈活性。AERO PRO搭載實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)與預(yù)測(cè)性維護(hù)功能，可優(yōu)化設(shè)備性能，并無縫融入智能制造環(huán)境。革新精密鍵合技術(shù)，實(shí)現(xiàn)無與倫比的靈活性AERO PRO搭載全新專利換能器技術(shù)X Power2.0，可
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引領(lǐng)VPU IP新標(biāo)桿，安謀科技Arm China發(fā)布新一代“玲瓏”核芯

1 VPU向高效、高質(zhì)、低延遲發(fā)展隨著AI技術(shù)的爆發(fā)，帶來了視頻分辨率和數(shù)據(jù)量的不斷攀升，專用于視頻編解碼處理的VPU應(yīng)運(yùn)而生，成為各類視頻應(yīng)用的“超級(jí)工匠”。如今，VPU已成為支撐云、邊、端等關(guān)鍵場(chǎng)景的核心算力單元，是半導(dǎo)體和AI算力賽道的重要組成部分?。VPU主要由兩大類芯片/硬件模塊構(gòu)成：一類是VPU芯片；另一種是嵌入在各種SoC、處理器、控制器等芯片/硬件模塊中的VPU引擎。但是萬變不離其宗，都離不開強(qiáng)大的VPU IP核芯。目前VPU、VPU IP的發(fā)展趨勢(shì)是什么？答案是：在云、邊、端場(chǎng)景中AI無
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SMPT推出ALSI LASER1206激光切割與開槽設(shè)備助力先進(jìn)封裝與車用功率器件制造

2026年3月26日，中國上海——半導(dǎo)體與電子制造軟硬件領(lǐng)軍企業(yè)ASMPT與其子品牌奧芯明于2026年中國半導(dǎo)體展會(huì)（SEMICON China 2026）N4451展位，推出全新裸晶圓處理系統(tǒng)ALSI LASER1206。本次展會(huì)主題為“智創(chuàng)‘芯’紀(jì)元”，ALSI LASER1206精準(zhǔn)響應(yīng)專注于先進(jìn)封裝的半導(dǎo)體企業(yè)日益增長的需求，為人工智能、智能出行等高增長市場(chǎng)提供解決方案。該全新系統(tǒng)搭載專利多光束激光加工技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)膜框與裸晶圓全自動(dòng)化處理，進(jìn)一步豐富公司產(chǎn)品線，并重點(diǎn)聚焦前道工藝領(lǐng)域。該新一代激光
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ERS electronic將出席SEMICON China 2026

上海，2026年3月24日——半導(dǎo)體制造溫度管理解決方案的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者 ERS electronic 將于3月25日至27日亮相SEMICON China 2026 ，展示其晶圓針測(cè)及先進(jìn)封裝技術(shù)，包括晶圓級(jí)和面板級(jí)解鍵合與翹曲校正技術(shù)。展會(huì)前夕，首席執(zhí)行官Laurent Giai-Miniet于3月24日出席了由SEMI中國主辦的“異構(gòu)集成（先進(jìn)封裝）國際會(huì)議：AI & CPO”，并發(fā)表了主題演講。在主題演講中，他重點(diǎn)強(qiáng)調(diào)ERS為AI和HPC晶圓測(cè)試、3D堆疊先進(jìn)封裝提供量身定制的、旨在最大化良率
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永光化學(xué)攜手安光微電子參展 SEMICON China 2026

全球半導(dǎo)體與顯示技術(shù)領(lǐng)域的關(guān)鍵材料創(chuàng)新領(lǐng)導(dǎo)者——永光化學(xué)(Everlight Chemical)，今年度攜手安光微電子(ANDA)即將參展3 月 25 日至 27 日在上海新國際博覽中心舉行的「SEMICON China 2026」。永光及安光微電子將于 N5 館 5365 號(hào)展位，向全球產(chǎn)業(yè)伙伴展示其在先進(jìn)半導(dǎo)體制程材料的尖端研發(fā)成果，并強(qiáng)調(diào)「以化學(xué)創(chuàng)新，驅(qū)動(dòng)科技與生活共好」的企業(yè)愿景。作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中不可或缺的技術(shù)推進(jìn)者，永光化學(xué)始終致力于透過卓越的化學(xué)工程技術(shù)，解決當(dāng)前晶圓制造與封裝制程中的核心挑
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應(yīng)用材料公司亮相SEMICON China 2026

2026年3月19日，上?！荒暌欢鹊陌雽?dǎo)體行業(yè)盛會(huì)SEMICON China將于2026年3月25-27日在上海新國際博覽中心舉辦。同時(shí)，由SEMI和IEEE聯(lián)合主辦的集成電路科學(xué)技術(shù)大會(huì)（CSTIC）2026也將于3月22-24日在上海浦東嘉里大酒店召開。作為材料工程創(chuàng)新的領(lǐng)先企業(yè)之一，應(yīng)用材料公司將參與并支持SEMICON China和CSTIC，通過大會(huì)贊助、主題演講和論文展示的方式，與全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)同仁深度交流，共享行業(yè)技術(shù)成果，推動(dòng)產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新和高質(zhì)量發(fā)展。應(yīng)用材料公司副總裁、應(yīng)用材
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奧芯明將亮相SEMICON China 2026，先進(jìn)封裝賦能智能芯片變革

奧芯明將亮相SEMICON China 2026，先進(jìn)封裝賦能智能芯片變革
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尼得科精密檢測(cè)科技將亮相“SEMICON KOREA 2026”

尼得科精密檢測(cè)科技株式會(huì)社（以下簡稱“本公司”）將參展2026年2月11日（周三）～2月13日（周五）于韓國首爾COEX會(huì)議中心舉辦的“SEMICON KOREA 2026”。本次展會(huì)將展出助力下一代功率半導(dǎo)體(IGBT/SiC)市場(chǎng)的檢測(cè)設(shè)備“NATS系列”以及匯總了集團(tuán)技術(shù)的最新檢測(cè)解決方案本公司子公司尼得科SV Probe將首次在韓國展出晶圓檢測(cè)夾具“探針卡”的最新解決方案，包括可實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體器件溫度測(cè)量的TC(Thermo Couple：熱電偶)探針，以及采用2D MEMS技術(shù)的探針卡等產(chǎn)品。此外，
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2025年MRAM全球創(chuàng)新論壇將展示MRAM技術(shù)創(chuàng)新、進(jìn)展及行業(yè)專家的研究成果

MRAM全球創(chuàng)新論壇是行業(yè)內(nèi)磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（MRAM）技術(shù)的頂級(jí)平臺(tái)，匯聚了來自業(yè)界和學(xué)術(shù)界的頂尖磁學(xué)專家與研究人員，共同分享MRAM的最新進(jìn)展。今年已是第13屆，這一為期一天的年度會(huì)議將于2025年12月11日IEEE國際電子器件會(huì)議（IEDM）之后的第二天，上午8：45至下午6點(diǎn)在舊金山聯(lián)合廣場(chǎng)希爾頓酒店帝國宴會(huì)廳A/B舉行。2025年MRAM技術(shù)項(xiàng)目包括12場(chǎng)由全球頂尖MRAM專家邀請(qǐng)的演講，以及一個(gè)晚間小組討論。這些項(xiàng)目將聚焦于技術(shù)開發(fā)、產(chǎn)品開發(fā)、工具開發(fā)及其他探索性話題。MRAM技術(shù)是一種非
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分析師警告稱，人工智能數(shù)據(jù)中心建設(shè)將推動(dòng)銅短缺——2035年需求僅能滿足70%，2025年預(yù)計(jì)缺口為304,000噸

超大規(guī)模園區(qū)和電網(wǎng)擴(kuò)張帶來的創(chuàng)紀(jì)錄需求正與礦山產(chǎn)量放緩發(fā)生沖突。銅生產(chǎn)商和市場(chǎng)分析師開始描繪出一個(gè)供應(yīng)缺口，正值超大規(guī)模人工智能園區(qū)接近創(chuàng)紀(jì)錄的用電量之際。國際能源署最新的關(guān)鍵礦產(chǎn)展望顯示，現(xiàn)有和計(jì)劃中的銅礦僅滿足2035年預(yù)計(jì)需求的約70%。伍德·麥肯齊預(yù)計(jì)短缺將更早出現(xiàn)，2025年精銅短缺預(yù)計(jì)為304,000噸，2026年缺口更大。這一趨勢(shì)與一波由人工智能驅(qū)動(dòng)的電力基礎(chǔ)設(shè)施浪潮匯聚，將長期存在的工業(yè)金屬轉(zhuǎn)變?yōu)閿?shù)據(jù)中心擴(kuò)展的實(shí)際瓶頸。據(jù)伍德·麥肯齊、查爾斯·庫珀在接受《金融時(shí)報(bào)》采訪時(shí)表示，建設(shè)數(shù)據(jù)中心
關(guān)鍵字： AI 數(shù)據(jù)中心銅資源短缺 2025 銅缺口銅礦供應(yīng)緊銅價(jià)上漲

IEEE Wintechon 2025 通過數(shù)據(jù)、多樣性與協(xié)作驅(qū)動(dòng)印度半導(dǎo)體未來

第六屆IEEE WINTECHCON 2025于2025年11月12日至13日，召集了800多名女性工程師、技術(shù)專家、行業(yè)領(lǐng)袖、學(xué)術(shù)界、學(xué)生和研究人員，主題為“以數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)的半導(dǎo)體創(chuàng)新改變未來”。今年，該會(huì)議由IEEE班加羅爾分會(huì)、IEEE計(jì)算機(jī)科學(xué)學(xué)會(huì)班加羅爾分會(huì)和Women in Engineering AG班加羅爾分會(huì)聯(lián)合主辦，由三星半導(dǎo)體印度研究院（SSIR）主辦。IEEE班加羅爾分會(huì)主席Chandrakanta Kumar博士表示：“IEEE Wintechcon 2025展示了印度半導(dǎo)體創(chuàng)新引擎
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 嵌入式系統(tǒng) IEEE Wintechon 2025 3D IC 集成

開放創(chuàng)芯，成就未來——ICCAD-Expo 2025成功舉辦！

11月20日至21日，由成都高新發(fā)展股份有限公司、芯脈通會(huì)展策劃（上海）有限公司、成都市集成電路行業(yè)協(xié)會(huì)、重慶市半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)、成都國家芯火雙創(chuàng)基地共同主辦，成都海光集成電路設(shè)計(jì)有限公司、成都華微電子科技股份有限公司支持的“2025集成電路發(fā)展論壇（成渝）暨三十一屆集成電路設(shè)計(jì)業(yè)展覽會(huì)”（簡稱ICCAD-Expo 2025）在成都中國西部國際博覽城成功舉辦。本屆大會(huì)以“開放創(chuàng)芯，成就未來”為主題，創(chuàng)新設(shè)置了“1+10+1”系列活動(dòng)架構(gòu)，包括1場(chǎng)高峰論壇、10場(chǎng)專題論壇及1場(chǎng)產(chǎn)業(yè)展覽?；顒?dòng)聚焦行業(yè)前沿技術(shù)、
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實(shí)現(xiàn)高密度正面和背面晶圓連接的途徑

晶圓到晶圓混合鍵合和背面技術(shù)的進(jìn)步將CMOS 2.0從概念變?yōu)楝F(xiàn)實(shí)，為計(jì)算系統(tǒng)擴(kuò)展提供了更多選擇。在VLSI 2025 上，imec 研究人員展示了將晶圓間混合鍵合路線圖擴(kuò)展到250 nm 互連間距的可行性。他們還通過制造120 nm 間距的極小的貫穿介電通孔，在晶圓背面顯示出高度致密的連接。在晶圓兩側(cè)建立如此高密度連接的能力為開發(fā)基于CMOS 2.0 的計(jì)算系統(tǒng)架構(gòu)提供了一個(gè)里程碑，該架構(gòu)依賴于片上系統(tǒng)內(nèi)功能層的堆疊。基于CMOS 2.0 的系統(tǒng)還將利用包括供電網(wǎng)絡(luò)（BSPDN）在內(nèi)的后端互連，其優(yōu)勢(shì)可
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